HYAPF-U HYSVG-U碳化硅（SiC）模块体积和重量大幅减小，功率密度增加。入柜空间节约40%,安装更易操作；同比容量重量减轻50%，进一步节省物流费用。

SiC材料耐高温能力强，工作温度上限可达200°C，热导率更高，散热性能更好。全灌胶、三防工艺无惧恶劣环境，高密度集成设计，交直流宽范围辅源供电，保障THDu工况。

● 谐波补偿：2~50 次谐波

● 快速响应： ≤5ms

● 模块化设计：最多可有 20个模块并行运行

● 高效率：三级拓扑结构

● 智能节能，按需运行，具备节能应用模式

● 冗余:任何单元都可以成为独立单元

● 碳化硅具有更快的开关速度，更低的开关损耗，适用于高频应用

● 碳化硅器件的高频特性可显著降低无源元件（如电感、电容）的体积，使系统功率密度提高30% 以上，同时减少能源损耗

● 碳化硅是宽带隙半导体材料,具有更高的击穿电场强度（约硅的10 倍）在高压、高温和高频应用中表现更优

● 应用注意项目：THDu＜10%